专利
一种GaAs/Si外延材料的MOCVD制备方法
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所属单位：北京邮电大学
教研室：科研楼334
专利类型：发明
专利状态：授权专利
申请号：CN201410514645.7
授权号：CN105448675B
发明人数：8
是否职务专利：否
申请日期：2014-09-29
公开日期：2016-03-30
授权日期：2018-01-23