论文成果
Theoretical and experimental study on epitaxial growth of antiphase boundary free GaAs on hydrogenated on-axis Si (001) surfaces
发布时间：2022-09-14 点击次数：
所属单位：北京邮电大学
教研室：科研楼334
发表刊物：Journal of Physics D: Applied Physics
论文类型：期刊论文
论文编号：445102
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术*
文献类型：J
卷号：55
期号：44
ISSN号：0022-3727
是否译文：否
发表时间：2021-08-13
收录刊物：SCI、SCI