论文成果
Coalescence of GaAs on (001) Si nano-trenches based on three-stage epitaxial lateral overgrowth
发布时间：2024-05-07 点击次数：
所属单位：北京邮电大学
教研室：科研楼334
发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS
论文类型：期刊论文
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术*
文献类型：J
是否译文：否
发表时间：2015-05-20
收录刊物：SCI