论文成果
Thermal stress reduction of GaAs epitaxial grown on V-groove-patterned Si substrates
发布时间：2024-05-07 点击次数：
所属单位：北京邮电大学
教研室：科研楼334
发表刊物：Chinese Physics B
论文类型：期刊论文
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术*
文献类型：J
是否译文：否
发表时间：2020-09-01
收录刊物：SCI
发布期刊链接：https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1674-1056/abb3ed/meta