专利
一种无偏角Si(001)衬底InP材料的金属有机化学气相沉积方法
发布时间：2022-09-14 点击次数：
所属单位：北京邮电大学
教研室：科研楼334
专利类型：发明
专利状态：待批专利
申请号：CN202111468703.3
发明人数：7
是否职务专利：否
申请日期：2021-12-03
公开日期：2022-05-13
所属单位：北京邮电大学
教研室：科研楼334
专利类型：发明
专利状态：待批专利
申请号：CN202111468703.3
发明人数：7
是否职务专利：否
申请日期：2021-12-03
公开日期：2022-05-13