专利
一种GaAs/Si外延材料的MOCVD制备方法
发布时间：2024-05-07 点击次数：
所属单位：北京邮电大学
教研室：科研楼334
专利类型：发明
专利状态：授权专利
是否职务专利：否
申请日期：2014-09-29
公开日期：2016-03-30
授权日期：2018-01-23
所属单位：北京邮电大学
教研室：科研楼334
专利类型：发明
专利状态：授权专利
是否职务专利：否
申请日期：2014-09-29
公开日期：2016-03-30
授权日期：2018-01-23