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Theoretical analysis of an on-chip integration of a III–V laser with a Ge photodetector using Si waveguides on patterned SOI substrates
发布时间:2022-09-14  点击次数:

所属单位:北京邮电大学

教研室:科研楼334

发表刊物:Laser Physics Letters

刊物所在地:GERMANY

关键字:tical integration, square microcavity laser, Ge photodetector, Si waveguides, mode quality factor

论文类型:期刊论文

论文编号:045003

学科门类:工学

一级学科:电子科学与技术*

文献类型:J

卷号:16

期号:4

ISSN号:1612-2011

是否译文:

发表时间:2019-05-22

收录刊物:SCI、SCI