论文成果
Model of blocking dislocations for III-V semiconductor grown on nano-trench patterned Si substrates
发布时间：2024-05-06 点击次数：
所属单位：北京邮电大学
教研室：科研楼334
发表刊物：SPIE/COS PHOTONICS ASIA
关键字：GaAs/Si, InP/Si, epitaxial lateral overgrowth, aspect ratio trapping, blocking dislocations
论文类型：论文集
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术*
文献类型：C
是否译文：否
发表时间：2016-11-04
收录刊物：EI