论文成果
Defect reduction in GaAs/Si film with InAs quantum-dot dislocation filter grown by metalorganic chemical vapor deposition
发布时间：2024-05-07 点击次数：
所属单位：北京邮电大学
教研室：科研楼334
发表刊物：Chinese Physics B
关键字：GaAs-on-Si growth, dislocation filter, quantum dot
论文类型：期刊论文
学科门类：工学
一级学科：电子科学与技术*
文献类型：J
是否译文：否
发表时间：2014-09-10
收录刊物：SCI