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Modified dislocation filter method: toward growth of GaAs on Si by metal organic chemical vapor deposition
发布时间:2024-05-07  点击次数:

所属单位:北京邮电大学

教研室:科研楼334

发表刊物:Applied Physics A

论文类型:期刊论文

学科门类:工学

一级学科:电子科学与技术*

文献类型:J

是否译文:

发表时间:2016-05-11

收录刊物:SCI